领先的金属镀化学品,

铜柱,RDL, TSV和双大马士革

我们的产品组合

半导体

先进封装、半导体集成湿化工艺和设备解决方案

快速的事实

  • 采用化学和电化学沉积铜的先进封装解决方案, Ni, Pd, Sn, 障碍和非盟
  • 最新互连技术的电化学解决方案- Damascene Cu和Co
  • MultiPlate:一种创新的电化学电镀工具
  • 高科技无尘室制造

应用程序

  • Pad金属化用ENEPIG作电源芯片和存储器
  • 用于FOWLP和FC-CSP的RDL,µ-通孔和支柱电镀
  • µ-通过和通过硅通过电镀用于传感器和3D堆叠
  • 电源芯片的双面金属化.g. IGBT、mosfet……
  • 用于逻辑、内存和电源集成电路的互连金属化

产品组合

用于FOWLP和FC-CSP的RDL,µ-通孔和支柱电镀

你的挑战:

FOWLP等最新的包装技术要求各种不同结构的电镀解决方案. 铜用于细线RDL,有或没有填充的µ-Vias, 铜柱上有或没有镍阻挡层,最后但并非最不重要的是铜柱上的焊接帽. 最重要的是提高铜矿床的纯度,提高整体可靠性. 铜镀层的纯度决定了整个镀层在FOWLP中避免RDL裂纹或在Cu/钎料界面出现微空洞的可靠性

我们的解决方案:

梅高美集团提供完整的支柱电镀包, µ-Vias和细线RDL铜镀层纯度高,可靠性要求高, 无论是RDL , µ-孔道或铜柱. 一个是所有的Cu溶液. 我们的铜电解质板的结构有:µ-Vias,细线RDL和柱状

我们的产品:

  • Spherolyte®铜UF5:高速镀铜柱,均匀性好
  • Spherolyte®铜UF3:对所有的Cu结构:RDL,µ-Via和柱状结构都具有纯性能
  • Promobond®AP2:下一代包装的附着力促进剂
  • Spherolyte®倪:焊料与铜之间有有效的阻隔层,避免产生空洞
  • Spherolyte®障碍:我们最新的产品为可靠的互连2% Ag

电源芯片的双面金属化.g. IGBT、mosfet...

你的挑战:

现代igbt和功率mosfet需要在晶圆的两面都镀上金属. 在晶圆加工过程中,先镀正面再镀背面的标准方法常常会遇到应力和翘曲问题. 在动力封装中嵌入模具的薄晶圆尤其容易产生这种影响. 我们需要的是在晶圆加工过程中有效减少应力和翘曲

我们的解决方案:

我们提供另一种工艺-同时双面镀铜在正面和背面有效的应力和翘曲缓解:

  • 铜厚度的前后单独控制
  • 太和晶圆加工能力
  • 简化工艺流程
  • 一只手拿着工具和化学

我们的产品:

MultiPlate®和Spherolyte®MD2:我们的电源芯片梦之队

Pad金属化和RDL外壳

你的挑战:

线焊或焊锡-哪种表面最适合您的包装解决方案? 如何在合金铝晶圆或铜晶圆上获得所需的金属堆叠? 这能在大批量生产过程中实现吗? 它是否可靠,是否能在汽车或更恶劣的环境中使用? 所有这些都是典型的问题和挑战,这些问题和挑战定义了在第一级互连中,哪些金属应该被镀.

我们的解决方案:

  • 通用预处理我.e. 所有铝合金的锌化工艺和铜晶圆的通用活化工艺
  • 汽车证明化学镍-化学钯-浸金栈
  • 在潮湿的工作台上生产效率极高,一次可加工25或50片晶圆
  • 氰化物自由流程
  • 耐高温三元镍镀层
  • 纯钯镀层,提高可靠性

我们的产品:

  • Xenolyte®Pd HS:纯钯,提高焊丝键合性能
  • Xenolyte®倪TR:三元镍镀层或耐高温
  • Xenolyte®盟CF2:无氰浸金工艺
逻辑、内存和电源集成电路的互连金属化解决方案

你的挑战:

下一代互连技术要求湿式金属化工艺具有极高的性能

  • 铜大马士革BEOL互连与极薄种子层的兼容性
  • 能够在铜和钴互连的10纳米以下填补板前开口
  • 无空洞,高纯度铜和钴

最重要的是无空隙互连填充. 日益密集和复杂的互连水平需要比以往更高的产量.

我们的解决方案:

  • 梅高美集团为铜和钴互连提供了最先进的湿金属化化学
  • 极端的纯度要求是很容易满足使用梅高美集团内部开发的化学
  • 每个金属化步骤的解决方案是可用的, 并与所有先进的ECD平台兼容

我们的产品:

  • Everplate®2 x +:高性能的添加剂套件,能够填充先进的大马士革铜技术节点
  • Atomplate®公司:用于MEOL互连技术的电解纯Co, 能够提供真正的自下而上的填充

Spherolyte®Cu UF 5

下一代铜支柱电镀速度,纯度和形状控制

Spherolyte®Cu UF 5 我们已经准备好满足最苛刻的均匀性要求,其新的纯和均匀的铜柱沉积工艺,可在最高的电镀速度.

高纯度化学制造业

高纯化工生产

半导体行业洁净室制造

我们生产高纯度化学根据最新和最严格的半导体行业要求. 我们的1,500平方米的洁净室制造工厂位于neurupppin, 德国配备高度自动化的制造设备和封闭的生产环境,确保高效, 安全, 环境, 以及具有成本效益的生产.

阅读更多

“我们不断努力为半导体行业提供一流的金属化解决方案. 这使我们成为开发下一代技术的有价值的合作伙伴.”

Dr. 基督教Ohde
德国阿托克公司半导体先进封装产品全球产品总监

最近的出版物

新一代包装技术的创新电镀系统

本文最初发表在《梅高美集团》杂志上.
随着设备几何尺寸的不断缩小, 为了保持相关性和经济上的可行性,半导体封装技术面临着不断的挑战. 当务之急是开发具有成本效益的创新方法,以满足新出现的需求. 本文将探讨先进包装的当前挑战,以及如何通过重新思考传统制造方法来克服它们.

2016, pdf, 3400 KB

扇出封装:在移动设备中实现最佳性能的关键因素

这篇文章最初发表在Chip Scale Review上.
FOWLP的出现与满足消费电子产品的需求直接相关, 尤其是那些移动设备. 本文将探讨扇出封装背后的驱动程序, 关键的处理挑战, 以及应用层的需求. 它还将讨论为什么扇出是未来一代移动设备的理想封装技术, 并将为晶圆片和面板两种格式的制造提供交钥匙解决方案.

2017, pdf, 1200kb

下一代铜支柱电镀技术

这篇文章最初发表在Chip Scale Review上.
随着行业规模的缩小, 更快的设备, 供应链的所有成员都面临着以更低成本实现更高绩效的压力.
摩尔定律的局限性是显而易见的,先进的技术节点不再提供显著的成本效益. 作为一个结果, 该行业已将其重点转移到先进的包装,以提供更高的性能和更低的成本, i.e. ”摩尔比.”
这种转变的主要驱动因素是性能的提高、功能的增强和成本的降低. 本文将讨论这三个驱动因素如何导致使用支柱的倒装封装的出现,以及铜支柱技术目前和未来面临的挑战.

2016, pdf, 560kb

SNAGCU钎料与NI(P)/AU、NI(P)/PD/AU UBMS之间的相互作用

Sn3与金属间反应的研究.5Ag0.5Cu钎料和两种不同的UBM结构,Ni(P)/Au和Ni(P)/Pd/Au.

2015, pdf, 230kb

mgm美高梅官方直营




    输入您的电子邮件地址,即表示您同意我们将通过电子邮件答复您的请求.

    Output